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J-GLOBAL ID:201202231740420495   整理番号:12A0549678

集積したIII窒化物/非III窒化物タンデム光起電力デバイスの設計

Design of integrated III-nitride/non-III-nitride tandem photovoltaic devices
著者 (8件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 054503-054503-8  発行年: 2012年03月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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III窒化物上部セルが非III窒化物に接合した直列接続,多重接合のサブセルで構成されたタンデム太陽電池を提案した。上部セルは下部サブセルと電気的に絶縁されているが,光学的には結合している。スタンドアローン非III窒化物サブセルの上部接合が非III窒化物サブセルの制限電流より多くの光電流を発生する時,III窒化物の上部セルを使用すると有利になる。光生成するこの過剰電流は光エネルギーフォトン吸収によりIII窒化物上部セルに再配向されるが,層厚みの最適化により下部接合に再配向されて全効率が向上する。非III窒化物セルの上部接合が制限された接合の時には,III窒化物上部セルが寄与する最小電力変換効率は多重接合サブセルからフィルタしたスペクトルを補償する。III窒化物の吸収端波長,λ<sub>N</sub>が増加するので,多重接合サブセルの性能はスペクトルフィルタリングにより低下する。関心時(AM1.5G,AM1.5D,及びAMO)で最も共通したスペクトルは,λ<sub>N</sub><520nmのInGaNセルを成長させるテクノロジーはIII窒化物上部セル用に十分であることが分かった。しかし,最新技術のInGaN太陽電池の外部量子効率性能は未だ改善する必要がある。表面/界面反射の影響についても示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 
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