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J-GLOBAL ID：201202231802979940   整理番号：12A1485680

自動車用のロバストDMOSデバイス・ファミリー

A Family of Robust DMOS devices for Automotive Applications

著者 (6件)： MOUHOUBI S. (On Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  WU Y. (On Semiconductor, Phoenix, USA) ,  BAUWENS F. (On Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  ROIG J. (On Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  GASSOT P. (On Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  TACK M. (On Semiconductor, Oudenaarde, BEL)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 97-100  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自動車用DMOS素子の堅牢性を改善し,向上させるための手法を論じ,この問題解決の手法を述べた。分割ゲート構造を適用して安定動作領域における真性MOS状態を維持することにより,nVDMOSのI_d-V_d特性の平坦性を向上する手法で,pLDMOSのドレイン・ソース間ブレークダウン電圧の向上も実現できると述べた。バッファ層を設けることにより,nLDMOSの安全動作領域を拡大でき,高い電流密度を高電圧域まで拡大でき,静電気放電保護が遅れ勝ちとなる自動車などへの適用に適していると述べた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  MOS構造 ,  *電力トランジスタ ,  電装品 ,  ロバスト性 ,  電流密度
準シソーラス用語： DMOS構造 ,  LDMOS ,  横型二重拡散MOS ,  堅牢性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 自動車 ,  ロバスト ,  ファミリー