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J-GLOBAL ID：201202231912010065   整理番号：12A1446035

3xnmノードのための高分解能検査へのレビューSEMの適用

Application of review-SEM to high-resolution inspection for 3xnm nodes

著者 (9件)： OH J. H. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  KWON G. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  MUN D. Y. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  YOO H. W. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  CHOI Y. S. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  KIM T. H. (Hynix Semiconductor Inc., KOR) ,  FUKUNAGA F. (Hitachi High-Technol. Corp., JPN) ,  UMEHARA S. (Hitachi High-Technol. Corp., JPN) ,  NOZOE M. (Hitachi High-Technol. Corp., JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8324  号： Pt.2  ページ： 83242P.1-83242P.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30nmノード以下に向けての半導体生産ラインでは,クリティカル欠陥制御が,開発初期,歩留り傾斜,量産の各段階にて重要である。特に,開発初期,最新クリティカルデバイスの歩留り傾斜段にて,小さな物理的欠陥検出が重要になっている。それは,低プロセスマージンおよびモニタ不能のためである。本稿では,レビューSEMを用いて,高感度固定ポイント検査ツール(iPQ)を開発した。性能を重畳基準画像により改善した。この検査法の有効性を種々の欠陥をもついくつかの最新メモリデバイスを用いて評価した。その結果により,iPQは,BFツールにより検出されない小さな物理的欠陥を検出するのに有効であることを示した。このツールをメモリ製造ラインのプロセス工程をモニタするのに適用予定である。

シソーラス用語： *走査電子顕微鏡 ,  高分解能 ,  欠陥 ,  *プロセス制御 ,  歩留り ,  監視装置 ,  記憶装置 ,  試験装置 ,  製造
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  メモリデバイス ,  モニタ ,  *検査装置 ,  半導体生産

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  高分解能 ,  検査 ,  レビュー ,  SEM