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J-GLOBAL ID：201202231991550096   整理番号：12A0224301

浮動ソース差動注入器を持つ低電圧Kバンド1/3注入同期分周器

Low-Voltage K-Band Divide-by-3 Injection-Locked Frequency Divider With Floating-Source Differential Injector

著者 (6件)： CHEN Yi-Tsung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Yi-Tsung (Taiwan Intellectual Property Office, Taipei, TWN) ,  LI Ming-Wei (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  KUO Hsin-Chih (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG Tzuen-Hsi (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHUANG Huey-Ru (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 60  号： 1  ページ： 60-67  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kバンド3分周ILFD(注入同期分周器)を,浮動ソース差動注入器を組み込んだ0.18μm CMOSプロセスで製作した。同期範囲をバラクタ有り無しで検討し,バラクタ無しでは,周波数同期範囲を大幅に拡大できた。測定した自走周波数は,7.96GHzであり,総同期範囲は3.2GHzで,供給電圧0.9Vでの電力消費量は9.54mWであった。この分周器の位相雑音測定値は,1MHzオフセットで-141.3dBc/Hz。位相雑音差の8.5dBは,理論値9.5dBに近かった。分周器の出力は,全同期範囲にわたって,-11dBm以上であった。

シソーラス用語： *分周器 ,  *注入同期 ,  SHF波 ,  半導体プロセス ,  電力消費 ,  位相雑音
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  Kバンド

分類 (1件)： 周波数変換回路  (NC05030J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 浮動 ,  ソース ,  差動 ,  注入器 ,  低電圧 ,  Kバンド ,  注入同期分周器