将来の太陽電池のためのレーザープロセス

LETSCH Andreas; BARTL Dominik; DIEZ Michael; GAUCH Roland; MICHALOWSKI Andreas; HAFNER Margit

文献

J-GLOBAL ID：201202232100213503 整理番号：12A1215578

将来の太陽電池のためのレーザープロセス

Laser processes for future solar cells

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 8243 ページ： 824317.1-824317.16 発行年： 2012年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

太陽光発電(PV)産業は他の発電技術と競合できる低製造コストで高い効率を必要とする。c-Siウェハを用いたいわゆる第一世代の太陽光発電素子はマルチGWレベルに達している。この生産ラインで用いられているレーザープロセスは,電池の前側と後側とを電気的に分離するためである。レーザーは高効率の太陽電池の製造に必要とされる局所構造を生み出すために用いられている。一例として,超短レーザーパルスのシリコン上の誘電体膜との相互作用に関する結果を示した。c-Siを用いた太陽電池に関する2種のレーザー誘起損傷として,アブレーション面積と単一スポットの縁の比が関係する結晶損傷と,アブレーションしきい値以下のフルーエンスが電荷キャリア寿命の減少に及ぼす影響について記述した。第二世代の太陽光発電モジュールは薄膜を用いたものである。これらのモジュールは薄膜のレーザースクライブによってモノリシックに相互接続される。アモルファスシリコン用の加工ツールは良く確立されているが,CIGS層のスクライブに対しては多数の課題がある。本稿では,モリブデンの背面電極をスクライブするためのレーザー誘起のリフトオフプロセスの時間的発展に関する新結果を示した。

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太陽電池 , 固体デバイス製造技術一般 , 特殊加工 , レーザ照射・損傷

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