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J-GLOBAL ID：201202232136831890   整理番号：12A0589595

高電流増幅率ヘテロ接合バイポーラトランジスタ実現へ向けたAlGaN/SiC界面の原子レベル制御の試み

著者 (4件)： 三宅裕樹 (京大 大学院) ,  木本恒暢 (京大 大学院) ,  木本恒暢 (京大 光・電子理工セ) ,  須田淳 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.18A-A8-11  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  半導体材料 ,  *炭化ケイ素 ,  電流 ,  比率 ,  界面
準シソーラス用語： *AlGaN ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  増幅率

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  AlGaN ,  SiC ,  界面 ,  原子 ,  レベル制御 ,  試み