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J-GLOBAL ID：201202232170380180   整理番号：12A0589592

第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO₂/SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥

著者 (4件)： 宮下敦巳 (原子力機構) ,  大沼敏治 (電力中研) ,  土田秀一 (電力中研) ,  吉川正人 (原子力機構)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.18A-A8-8  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 計算 ,  *二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *分子動力学 ,  界面
準シソーラス用語： 第一原理計算

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  分子の立体配置・配座  (BH05022J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理分子動力学法 ,  アモルファス ,  SiO2 ,  SiC ,  原子構造 ,  モデル ,  界面欠陥