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J-GLOBAL ID：201202232279964581   整理番号：12A0438606

μc-Si:H:F膜の大粒の異なる割合の,薄膜太陽電池の赤外吸収への影響の研究

Study of the effects of different fractions of large grains of μc-Si:H:F films on the infrared absorption on thin film solar cells

著者 (4件)： MORENO M. (Lab. de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, FRA) ,  MORENO M. (National Inst. for Astrophysics, Optics and Electronics, INAOE, P.O. Box 51 and 216, Z.P. 7200, Puebla, MEX) ,  BOUBEKRI R. (Lab. de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, FRA) ,  ROCA I CABARROCAS P. (Lab. de Physique des Interfaces et des Couches Minces, Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, FRA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 100  ページ： 16-20  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,低い温度(~200°C)で,SiF⁴,H²及びArガス混合物から,プラズマ化学気相成長法(PECVD)により沈着したマイクロ結晶シリコン膜(μc-Si:H:F)について研究した。我々は,H²/SiF⁴比が,膜の結晶割合に,特に,UV-vis分光偏光解析法により推論した膜結晶粒径に,重要な役割を果たすことを見つけた。膜内の,より高度の結晶化度(そして大粒のより大きい割合)は,赤外(IR)領域のより高い吸収を与えることを我々は観察した。それは,直列太陽電池にとって特に興味がある。PIN太陽電池は,太陽電池IR吸収と電池の性能特性に対するその影響を観察する為に,異なる結晶化度(そして異なる大粒の割合)の固有のμc-Si:H:Fで作る。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  太陽電池 ,  光吸収 ,  *PIN接合 ,  ケイ素 ,  結晶化
準シソーラス用語： PECVD ,  *薄膜太陽電池 ,  *赤外吸収 ,  紫外線-可視-近赤外吸収 ,  *微結晶シリコン

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 割合 ,  薄膜太陽電池 ,  赤外吸収 ,  研究