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J-GLOBAL ID：201202232371893941   整理番号：12A0269327

ペンタセンベースのトランジスタの電極と誘電体表面修飾の累積効果

Cumulative effects of electrode and dielectric surface modifications on pentacene-based transistors

著者 (7件)： DEVYNCK Melanie (Univ. Bordeaux, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, France and CNRS, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, FRA) ,  TARDY Pascal (Univ. Bordeaux, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, France and CNRS, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, FRA) ,  WANTZ Guillaume (Univ. Bordeaux, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, France and CNRS, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, FRA) ,  NICOLAS Yohann (Univ. Bordeaux, ISM, UMR 5255, F-33400 Talence, France and CNRS, ISM, UMR 5255, F-33400 Talence, FRA) ,  VELLUTINI Luc (Univ. Bordeaux, ISM, UMR 5255, F-33400 Talence, France and CNRS, ISM, UMR 5255, F-33400 Talence, FRA) ,  LABRUGERE Christine (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, F-33600 Pessac, France and CNRS, ICMCB, UPR 9048, F-33600 Pessac, FRA) ,  HIRSCH Lionel (Univ. Bordeaux, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, France and CNRS, IMS, UMR 5218, F-33400 Talence, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 053308  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化単分子膜(SAM)を使用してペンタセンベースの電界効果トランジスタの誘電体と金属の表面改質を検討した。第一に,オクタデシルトリクロロシランベースのSAMの非極性の低表面エネルギーにより,低界面トラップ密度とペンタセン二次元成長が優位になった。この処理により移動度が0.4cm²V^-1s^-1まで増加し,トランスファー曲線にヒステリシスが観察されなかった。第二に,金接点上に堆積したフッ化チオールにより,正孔注入障壁と接触抵抗の減少を達成し,移動度が0.6cm²V^-1s^-1まで増加する結果となった。最後に,2.6cm²V^-1s^-1の高い移動度を,両処理のの累積効果によって達成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *自己組織化 ,  単分子層 ,  有機半導体 ,  *誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  特性 ,  チオール ,  フッ化物 ,  接触抵抗 ,  障壁 ,  *電極 ,  密度 ,  *表面改質 ,  効果 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： トランジスタ特性 ,  トランスファ特性 ,  正孔注入障壁 ,  トラップ密度 ,  累積効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  オクタデシルトリクロロシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  トランジスタ ,  誘電体 ,  表面修飾 ,  累積効果