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J-GLOBAL ID：201202232490450144   整理番号：12A0363828

CVD成長グラフェン膜の構造及び輸送特性に及ぼすメタンフラックスの効果

Effects of methane flux on structural and transport properties of CVD-grown graphene films

著者 (8件)： WANG Z.g. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  CHEN Y.f. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  LI P.j. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  HAO X. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  FU Y. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  CHEN K. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  HUANG L.x. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...) ,  LIU D. (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol., 610054 ...)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 7  ページ： 895-898  発行年： 2012年02月08日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積単一層グラフェン膜を,化学蒸着により銅箔上に合成した。グラフェンの構造及び輸送特性に及ぼすメタンフラックスの効果を研究した。Ramanスペクトル及び電気的結果は,メタンフラックスが,グラフェンの厚さにほとんど影響を及ぼさないが,グラフェンの構造欠陥に明確な影響を与えることを明らかにした。さらに,明確な電界効果及びp型特性を示す,10μmのゲート長をもつグラフェン電界効果トランジスタを作製したCopyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単一層 ,  *化学蒸着 ,  銅箔 ,  Ramanスペクトル ,  格子欠陥 ,  *FET【トランジスタ】 ,  水素 ,  電流電圧特性 ,  P型半導体 ,  *相互コンダクタンス ,  アルカン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 構造欠陥 ,  大面積

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  成長 ,  グラフェン膜 ,  輸送特性 ,  メタンフラックス