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J-GLOBAL ID:201202232680139976   整理番号:12A0697617

高Q光学モードと共鳴及び非共鳴結合したシリコン発光

Silicon emission in and out resonant coupling with high Q optical mode
著者 (3件):
資料名:
巻: 8268  ページ: 82681G.1-82681G.6  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Si内W中心(3個の格子間Siからなる)からの発光の微小ディスク共振器による増強を実験的に調べた。このため,高い品質因子Qを持つSi微小ディスク共振器(10μm径)内に生成したW中心及びSi基板内のW中心からの1218nmゼロフォノン線の光ルミネセンス発光を観測して比較した。一方,共振器モード周波数の温度依存性を計算により求め,これをモード周波数の同調に利用した。実験の結果は,10~45Kの温度範囲で共振器内W中心の発光強度は基板内W中心よりも約一桁高いこと,及び温度同調により発光線と共振器モードの周波数が一致したとき共鳴増強により発光強度が最大になることを示した。
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  光集積回路,集積光学 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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