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J-GLOBAL ID：201202232748327458   整理番号：12A0345252

シリコンウエハのキャリア移動度和を決定するための無接触法

A Contactless Method for Determining the Carrier Mobility Sum in Silicon Wafers

著者 (7件)： ROUGIEUX Fiacre E. (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  ZHENG Peiting (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  THIBOUST Matthieu (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  TAN Jason (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  GRANT Nicholas E. (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  MACDONALD Daniel H. (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  CUEVAS Andres (Australian National Univ., A.C.T., AUS)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 2  号： 1  ページ： 41-46  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池の性能を決定する重要なパラメータであるキャリア移動度に関して,キャリア注入レベルの影響やキャリア注入レベルと温度の同時影響のデータは非常に少ない。本研究では,シリコンウエハにおける多数および少数キャリア移動度の和の,注入レベルと温度への同時依存性を決定するための新しい方法を述べた。この方法は,過渡および準定常状態光伝導測定に基づいており,既に報告されている方法とは異なり,複雑な試料形状を必要とせず,しかも無接触法である。ただし,十分な表面不動態化が必要である。測定したキャリア移動度の注入レベルと温度への依存性を議論し,よく知られた移動度モデルと比較した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *キャリア移動度 ,  少数キャリア ,  接触 ,  *ウエハ【IC】 ,  光伝導 ,  キャリア注入 ,  温度依存性 ,  不動態化
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  シリコン太陽電池 ,  多数キャリア ,  表面不動態化 ,  無接触

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンウエハ ,  キャリア移動度