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J-GLOBAL ID:201202232893975174   整理番号:12A1391162

Cd1-xZnxSe薄膜の構造,光学および電気特性に対する亜鉛濃度効果

Zinc concentration effect on structural, optical and electrical properties of Cd1-x Zn x Se thin films
著者 (4件):
資料名:
巻: 47  号: 11  ページ: 3390-3396  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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室温および常圧におけるイオン層吸着-反応逐次(SILAR)法を用いて種々の組成(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8および1.0)を有するCd1-xZnxSe薄膜をガラス基板に堆積させた。Cd1-xZnxSe薄膜の構造,形態,光学および電気特性に対する亜鉛濃度(x)効果を検討した。X線回折(XRD)および走査電子顕微鏡法(SEM)測定によるとすべての膜は多結晶性を示し,ガラス基板を良好に被覆していた。エネルギー分散X線(EDAX)分析により膜のほぼ化学量論的な堆積を確かめた。エネルギーバンドギャップの値は亜鉛濃度に応じて1.99から2.82eVまで変化した。ボーイング(湾曲)パラメータは0.08eVと計算された。亜鉛濃度の関数としてのエネルギーバンドギャップ値を用いて電子有効質量(me*/mo),屈折率(n),光学静止および高周波誘電率(εo)の値を計算した。膜の比抵抗の値は室温において亜鉛濃度の増加とともに105から107Ωcmの間で変化した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固-気界面一般  ,  塩 
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