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J-GLOBAL ID：201202233238602108   整理番号：12A1754227

電子顕微鏡により調査された炭化ケイ素に対するNiベースのohm接触

Ni-based ohmic contacts to silicon carbide examined by electron microscopy

著者 (6件)： WZOREK Marek (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  CZERWINSKI Andrzej (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  KUCHUK Andrian (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, Kyiv, UKR) ,  RATAJCZAK Jacek (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  PIOTROWSKA Anna (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  KATCKI Jerzy (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL)
資料名： Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena  (Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻： 186  ページ： 82-85  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0583A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子顕微鏡 ,  調査 ,  炭化ケイ素 ,  Ni ,  Ohm接触