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J-GLOBAL ID：201202233415025930   整理番号：12A1337067

溶液成長した垂直整列ZnOナノワイヤアレイ膜における欠陥誘起の高光電流

Defect induced high photocurrent in solution grown vertically aligned ZnO nanowire array films

著者 (2件)： KUSHWAHA Ajay (Dep. of Physics and National Center for Photovoltaic Res. and Education (NCPRE), Indian Inst. of Technol. Bombay ...) ,  ASLAM M. (Dep. of Physics and National Center for Photovoltaic Res. and Education (NCPRE), Indian Inst. of Technol. Bombay ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 054316-054316-7  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液成長法によりガラス基板上に高度に配向し一様に分布した単結晶ZnOナノワイヤ(NW)を成長させた。NW膜及びゾル-ゲル成長ZnO膜について,UV光検出器を目的にして,四端子伝導率を調べた。365nmUV光照射により,成長直後のNW膜は室温伝導率が三桁増大(感度440)した。一方,ゾル-ゲル成長厚膜では二桁増大した。伝導率と光ルミネセンスの相関から,NW膜で強い緑色欠陥発光を示す表面酸素空孔が弱い暗伝導と強い光伝導を導くことが分かった。NWアレイを空気または酸素雰囲気で成長後アニールすると,緑色欠陥が減少し,相当する光電流が抑制される。表面トラップ濃度が高いと,酸素空孔のイオン化による残留光伝導が生じ,UV光励起下に摂動ホスト状態が生成する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  細線 ,  優先配向 ,  溶液成長 ,  ゾル-ゲル法 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  *光電流 ,  暗電流 ,  残留光伝導 ,  電気伝導率 ,  光ルミネセンス ,  空格子点 ,  *表面欠陥 ,  欠陥密度 ,  欠陥準位 ,  焼なまし ,  紫外検出器 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  ナノワイヤアレイ

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液成長 ,  垂直整列 ,  ZnOナノワイヤ ,  アレイ ,  欠陥 ,  誘起 ,  光電流