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J-GLOBAL ID：201202233488645074   整理番号：12A1384875

ゾル-ゲルプロセスによるAl添加ZnO薄膜の調製とキャラクタリゼーション

Preparation and characterization of Al doped ZnO thin films by sol-gel process

著者 (4件)： LI Jianzi (Coll. of Information Sci. and Engineering, Ningbo Univ., Ningbo 315211, CHN) ,  XU Jian (Coll. of Information Sci. and Engineering, Ningbo Univ., Ningbo 315211, CHN) ,  XU Qingbo (Coll. of Information Sci. and Engineering, Ningbo Univ., Ningbo 315211, CHN) ,  FANG Gang (Coll. of Information Sci. and Engineering, Ningbo Univ., Ningbo 315211, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 542  ページ： 151-156  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル多層膜ディップコーティングによりソーダ石灰ガラス基板上に,0~5mol%のAl³⁺を添加したZnO透明導電膜(AZO膜)を製膜した。XRD,ラマン分光,TEM及びSEM,分光光度計,4端針法及びホール効果測定により,AZO膜の構造,光学及び電気特性に及ぼす生成条件,特に真空中でのアニールの効果について調べた。Al³⁺ドーピングはZnO構造の破壊と再編をもたらしたが,しかしAZO膜は(002)結晶面に沿って優先配向した六方晶ウルツ鉱型構造を依然として保っていた。真空中でのアニールは粒成長と残留応力の開放を促進し,膜中の欠陥と不規則性も減少させるので,真空中でのアニール後のAZO膜はより良い光透過率(>90%)と伝導率(2桁小さい)を示した。しかし真空アニール時間を伸ばすと,(002)結晶面以外の他の方位に沿って粒子が成長し,薄膜のシート抵抗がより大きくなった。アニールAZO膜のキャリア濃度(~2.3×10¹⁹/cm³)はAl³⁺量の増加と共に増加したが,1%Al-ZnO膜のホール移動度が最大値,~19.1cm²/Vsであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム化合物 ,  金属イオン ,  ドーピング ,  *透明導電膜 ,  多層膜 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  ソーダ石灰ガラス ,  製膜 ,  微細構造 ,  結晶方位 ,  優先配向 ,  六方晶系 ,  焼なまし ,  結晶成長 ,  残留応力 ,  透過率 ,  電気伝導率 ,  シート抵抗 ,  電気抵抗率 ,  Hall移動度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： アルミニウムイオン ,  光透過率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル ,  プロセス ,  Al ,  ZnO薄膜 ,  調製 ,  キャラクタリゼーション