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J-GLOBAL ID:201202233516318726   整理番号:12A1659880

二次イオン質量分析とX線回折による(Al,Ga)As合金の組成分析

Analysis of the composition of (Al,Ga)As alloys by secondary ion mass spectroscopy and X-ray diffractometry
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巻: 46  号: 11  ページ: 1392-1395  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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AlxGa1-xAs層中のレイヤーバイレイヤー母材元素濃度分析の検量線を飛行時間二次イオン質量分析計TOF.SIMS-5を用いて得た。一連の試験試料の合金組成は高分解能X線回折による格子定数とVegard則による弾性係数のずれから独立に計測した。二次イオン質量分析においてCs+をスパッタリングイオンにBi+をビームに選ぶと強度比Y(CsAl+)/Y(CsAs+)のx(AlAs)依存性は正イオンに対してはほとんど線形であり,負イオンの検出に当たってはY(Al2As-)/Y(As-)のx依存性もほぼ線形である。これらのデータによりAlxGa1-xAs系中のレイヤーバイレイヤー分析プロフィルの正規化が可能となる。それに加えてX線データにおけるVegard則からの外れへの補正導入の簡便法を示唆する。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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質量分析計  ,  その他の物理分析 

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