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J-GLOBAL ID：201202233717522674   整理番号：12A0697645

ThalesにおけるQWIPの現状と将来の傾向

QWIP status and future trends at Thales

著者 (9件)： BOIS P. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  GUERIAUX V. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  GUERIAUX V. (Thales Optronique S.A., Elancourt, FRA) ,  BRIERE DE L’ISLE N. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  MANISSADJIAN A. (Sofradir, Chatenay-Malabry, FRA) ,  FACOETTI H. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  MARCADET X. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  COSTARD E. (III-V Lab, Palaiseau, FRA) ,  NEDELCU A. (III-V Lab, Palaiseau, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8268  ページ： 82682M.1-82682M.11  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2005年以来,Thales社はIII-V Labを通して高い生産性でQWIP(量子井戸赤外検出器)を製造している。QWIPの初期に主張された長所は現在実証された。バンドギャップ工学の汎用性はMWIR,LWIR,VLWIR領域の特異な応用条件を満たす検出器のカスタム設計を可能にした。GaAs基板に基づくIII-Vマイクロエレクトロニクスの成熟は均一性,安定性,高い生成性を可能にする。本論文では,この種類の検出器の特異な長所を論じた。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *赤外検出器 ,  赤外線 ,  ヒ化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  暗電流 ,  光検出器アレイ
準シソーラス用語： *III-V化合物半導体 ,  中波長赤外線 ,  長波長赤外線

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 現状 ,  将来 ,  傾向