文献

J-GLOBAL ID：201202233717697717   整理番号：12A1143525

32nm SOI CMOS技術の28Gb/s 4タップFFE/15タップDFEシリアルリンクトランシーバ

A 28Gb/s 4-Tap FFE/15-Tap DFE Serial Link Transceiver in 32nm SOI CMOS Technology

著者 (22件)： BULZACCHELLI John (IBM Res., NY) ,  BEUKEMA Troy (IBM Res., NY) ,  STORASKA Daniel (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  HSIEH Ping-Hsuan (IBM Res., NY) ,  HSIEH Ping-Husan (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  RYLOV Sergey (IBM Res., NY) ,  FURRER Daniel (Miromico, Zurich, CHE) ,  GARDELLINI Daniele (Miromico, Zurich, CHE) ,  PRATI Andrea (Miromico, Zurich, CHE) ,  MENOLFI Christian (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  HANSON David (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  HERTLE Juergen (Miromico, Zurich, CHE) ,  MORF Thomas (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  SHARMA Vivek (Miromico, Zurich, CHE) ,  KELKAR Ram (IBM Systems and Technol. Group, VT) ,  AINSPAN Herschel (IBM Res., NY) ,  KELLY William (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  RITTER Glenn (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  GARLETT Jon (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  CALLAN Robert (IBM Systems and Technol. Group, NY) ,  TOIFL Thomas (IBM Res.-Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  FRIEDMAN Daniel (IBM Res., NY)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012  ページ： 324-325,325A  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28Gb/sのシリアルリンクトランシーバに関して,現在の設計値の2倍の速度を持つソース直列終端(SST)ドライバトポロジー,容量性結合並列入力段とアクティブフィードバックを持つ2段ピーク増幅器,それに15タップDFEを利用した方式を報告した。容量性レベルシフタを使うことにより,単一電流積分サマーが最初の二つのDFEタップを推測するために使う並列パスを起動できる。4ポートコアを32nm SOI CMOSプロセスで作成した。単一のTX/RX対の面積は,0.81mm²である。Sパラメータの測定結果は,14GHzで29dB,TXとRXのパッケージ損失を入れると,35dBになる。28Gb/sでの消費電力は,TX/RX対で,693mWである。

シソーラス用語： *デバイスインタフェイス ,  CMOS構造 ,  *半導体プロセス ,  等化器 ,  *送受信機 ,  消費電力 ,  増幅器
準シソーラス用語： DFE【等化器】 ,  Sパラメータ ,  *SOI ,  *シリアルリンク ,  *トランシーバ

分類 (2件)： 入出力インタフェイス  (JC04040J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  CMOS技術 ,  タップ ,  DfE