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J-GLOBAL ID：201202233751333457   整理番号：12A1389170

グラフェン量子ドットを通したスピン依存輸送

Spin-Dependent Transport Through Graphene Quantum Dots

著者 (4件)： WEYMANN I. (Adam Mickiewicz Univ., Poznan, POL) ,  KROMPIEWSKI S. (Inst. Molecular Physics, Polish Acad. Sci., Poznan, POL) ,  BARNAS J. (Adam Mickiewicz Univ., Poznan, POL) ,  BARNAS J. (Inst. Molecular Physics, Polish Acad. Sci., Poznan, POL)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 9  ページ： 7525-7528  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン量子ドットの輸送特性は実験的に研究され,このようなデバイスの微分コンダクタンスは単電子蓄積効果に関係する明瞭なCoulombダイヤモンド構造を表わすことがわかった。グラフェンを強磁性体導線に貼り付けたとき,トンネル磁気抵抗(TMR)効果も関連のある物理量である。本研究では通常導線および強磁性体導線に弱く結合しているグラフェン量子ドットの輸送特性を理論的に解析する。この計算を実時間ダイアグラム法を使用してトンネルプロセスに関係する第一次近似で行う。最初に,異なった形状のグラフェンドットのエネルギースペクトルを解析し,次にシステムに流れる電流と微分コンダクタンスを計算する。その結果,Coulombブロッケードスペクトルは量子ドットの形状に関係し,そしてより特別には相当する個々のエネルギーレベルスペクトルに関係することを示すことができた。ジグザグ端は低エネルギー局所状態を導き,それは直角形状のグラフェンドットで明らかに見ることが出来る。さらに強磁性導線に結合した量子ドットは増強されたTMR効果を示すこと実証した。それはゲートおよびバイアス電圧を適正化することによって調整できる。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *炭素材 ,  *輸送現象 ,  コンダクタンス ,  強磁性体 ,  磁気抵抗 ,  ダイアグラム法 ,  エネルギー分布 ,  構造 ,  状態密度 ,  Coulombブロッケード ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Coulombダイヤモンド ,  ジグザグ構造 ,  *スピン輸送 ,  トンネル磁気抵抗 ,  局所状態密度 ,  微分コンダクタンス

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン量子ドット ,  スピン ,  輸送