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J-GLOBAL ID：201202233766503588   整理番号：12A0267798

透明エレクトロニクスに向けて 幅広バンドギャップを持つ高分子による有機トランジスタの作製

Towards transparent electronics: fabrication of an organic transistor with a wide bandgap polymer

著者 (9件)： LIN C. W. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  TAI Y. (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  LIAW D. J. (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  CHEN M. C. (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  HUANG Y. C. (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  LIN C. T. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG C. W. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YANG Y. J. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Y. F. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 1  ページ： 57-59  発行年： 2012年01月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規の幅広バンドギャップを持つ透明高分子,ポリN-(4-(9.9-ジオクチル-フルオレン-2-イル)フェニル)-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(P1)を合成した。n型シリコンウエハ上に200nmのSiO₂絶縁体層を熱酸化法により形成させた後,ヘキサメチルジシラザン単分子層修飾により疎水化し,その上にP1をスピンコートし,150°Cで30分アニールして形成させたP1薄膜を活性チャンネルとし,Ti/Au二重層をソース/ドレイン電極とする有機薄膜トランジスタを作成した。なお,シリコンの酸化防止のためシリコンウエハの反対側に金を蒸着した。トランジスタの電流ー電圧曲線から求めたキャリア移動度は0.95x10^-2cm²V^-1s^-1,オン/オフ電流比は5.8x10⁴であった。また,P1のバンドギャップは2.84Vで,P1薄膜層の450-800nm光に対する透過度は80%であった。

シソーラス用語： 電子技術 ,  *透明材料 ,  *フォトニックバンドギャップ ,  高分子 ,  ウエハ【IC】 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  透過率 ,  ポリフルオレン ,  透明導電膜 ,  *ジアミン ,  *芳香族アミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  シリコンウエハ ,  ポリジオクチルフルオレン ,  *透明薄膜トランジスタ ,  有機エレクトロニクス ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *フェニレンジアミン類

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  界面化学一般  (CB12010J)

物質索引 (2件)： N,N′-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン ,  ヘキサメチルジシラザン

タイトルに関連する用語 (6件)： エレクトロニクス ,  幅広 ,  バンドギャップ ,  高分子 ,  有機トランジスタ ,  作製