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J-GLOBAL ID:201202234024913463   整理番号:12A1145218

先端的シリコン素子における高-k/金属ゲート

High-k/Metal Gates in Leading Edge Silicon Devices
著者 (1件):
資料名:
巻: 23rd  ページ: 346-353  発行年: 2012年 
JST資料番号: W0718A  ISSN: 1078-8743  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Intelは最初に45nm製品の高k/金属ゲート(HKMG)を用いたが,近い将来に22nm FinFETが市場に登場する。今回,HKMG技術の進歩過程に出現した様々なトランジスタ構造を検討し,ポリ-SiONを含むHKMG技術のゲートファースト及びゲートラスト実装を示す45,32,28及び22nmの8例を精査した。単軸歪の使用は続いている。CESL適用型応力からゲート積層自身及び基板からの歪迄の進化と,PMOS応力用埋込SiGeを概観した。
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分類 (1件):
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トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (3件):
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