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J-GLOBAL ID：201202234047548479   整理番号：12A0021114

電力マネジメント分野におけるシリコンに代わる技術としての窒化ガリウム素子

GaN as a Displacement Technology for Silicon in Power Management

著者 (1件)： LIDOW Alex (Efficient Power Conversion Corp., California)
資料名： IEEE Energy Conversion Congress and Exposition  (IEEE Energy Conversion Congress and Exposition)
巻： 2011 Vol.1  ページ： 1-6  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0800A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力マネジメント技術の最近30年間の技術進歩はその多くが電力用シリコンMOSFETの進歩に支えられてきたが,その性能も理論限界に近づき,進歩が緩やかになってきた。本文では,この電力用シリコンMOSFETに代わるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウム(GaN)によって構築した新しい素子として,エンハンスメント・モードGaN-FET(eGaN^<R>-FET)を中心に紹介した。DC-DC変換への適用を中心に,期待される性能,適用性,コストなどについて述べた。

シソーラス用語： 電力管理 ,  *電力制御 ,  窒化ガリウム ,  *パワーエレクトロニクス ,  *FET【トランジスタ】 ,  直直流変換 ,  性能 ,  原価

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： マネジメント ,  シリコン ,  窒化ガリウム