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J-GLOBAL ID：201202234066739633   整理番号：12A1567837

受容体としてのトリス(ペンタフルオロフェニル)ほう素による有機電界効果トランジスタに基づく高選択性NH₃検出

Highly Sensitive NH₃ Detection Based on Organic Field-Effect Transistors with Tris(pentafluorophenyl)borane as Receptor

著者 (6件)： HUANG Weiguo (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  BESAR Kalpana (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  LECOVER Rachel (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  RULE Ana Maria (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  BREYSSE Patrick N. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  KATZ Howard E. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 36  ページ： 14650-14653  発行年： 2012年09月12日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 受容体としてトリス(ペンタフルオロフェニル)ほう素(TPFB)を用いた高感受性NH₃検出器を開発できた。この添加剤を用いた有機電界効果トランジスタ(OFET)は,0.35ppmの検出限界(LOD)で,少なくとも450ppb(v/v)の低い濃度を検出できた。比較で,トリフェニルメタンまたはトリフェニルボランを添加剤として使用すると,感受性の改善が殆ど観察されなかった。NH₃とTPFBとの間の特異的なホスト-ゲスト相互作用は,ニート半導体と比較して観察された改善で重要であると考えられた。また,これらのOFETは,良好な選択性と貯蔵安定性も示した。デバイスの電流変化は,デバイスを-30°Cで貯蔵される密閉容器に保管することで維持された。著者らの知る限りでは,本論文は,選択的なOFETでの受容体としてのボラン利用,蒸気への応答を記録するOFETの最初の利用および現在までに提示された最も感度の高い半導体ベースのNH₃検出に関する最初の報告である。

シソーラス用語： *電気化学センサ ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *アンモニア ,  ガス検出器 ,  アクセプタ ,  *有機ホウ素化合物 ,  有機フッ素化合物 ,  芳香族フッ素化合物 ,  感受性 ,  検出限界 ,  芳香族炭化水素 ,  分子間相互作用 ,  ゲストホスト効果 ,  分子認識 ,  *選択性 ,  *貯蔵安定性 ,  フッ素19NMR ,  反射スペクトル ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： ガス検出装置 ,  ホスト-ゲスト相互作用 ,  電子受容体 ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (6件)： 分析機器  (CC02020S) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機ほう素化合物  (CF08020R) ,  窒素とその化合物  (YB02050S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： トリス(ペンタフルオロフェニル)ほう素 ,  トリフェニルボラン ,  トリフェニルメタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 受容体 ,  ほう素 ,  有機電界効果トランジスタ ,  高選択性 ,  NH3