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J-GLOBAL ID：201202234189006037   整理番号：12A1567255

PbSe/PbEuSeから成る量子井戸ヘテロ構造における温度に依存するバンドオフセット

Temperature dependent band offsets in PbSe/PbEuSe quantum well heterostructures

著者 (3件)： SIMMA M. (Inst. fuer Halbleiter und Festkoerperphysik, Johannes Kepler Universitaet, A-4040 Linz, AUT) ,  BAUER G. (Inst. fuer Halbleiter und Festkoerperphysik, Johannes Kepler Universitaet, A-4040 Linz, AUT) ,  SPRINGHOLZ G. (Inst. fuer Halbleiter und Festkoerperphysik, Johannes Kepler Universitaet, A-4040 Linz, AUT)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 17  ページ： 172106-172106-5  発行年： 2012年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーで成長させたPbSe/Pb_1-xEu_xSeから成る多重量子井戸のバンドオフセットを,温度変調微分透過分光法によって,温度およびユウロピウム含有量の関数として決定した。価電子帯および伝導帯内に閉じ込められた量子井戸状態を,包絡線関数近似の下におけるk・pモデルを用いて解析した。実験データのフィッティングから,規格化された伝導帯オフセットは,14%までのEuの含有量と20~300Kのヘテロ接合温度域ではEuの量や温度に依存せず,バンドギャップ差の0.45±0.15,であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *セレン化鉛 ,  セレン化物 ,  *鉛化合物 ,  *ユウロピウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  バンドオフセット ,  MBE成長 ,  多重量子井戸 ,  濃度依存性 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  摂動論 ,  曲線あてはめ
準シソーラス用語： k・pモデル ,  温度変調分光法 ,  包絡関数近似

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： PbSe ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  バンドオフセット