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J-GLOBAL ID：201202234271830325   整理番号：12A0603333

歪効果,固有欠陥および外来原子による二次元C₄H型重合体の電子および磁気特性

Electronic and magnetic properties of the two-dimensional C₄H-type polymer with strain effects, intrinsic defects and foreign atom substitutions

著者 (6件)： MA Yandong (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  DAI Ying (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  GUO Meng (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  NIU Chengwang (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHANG Zhenkui (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  HUANG Baibiao (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 14  号： 10  ページ： 3651-3658  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論による第一原理計算を用いてC₄Hの化学量論を有する二次元グラフェンシート水素化物(C₄H,Adv.Mater.,Vol.23,4497(2011))の電子および磁気特性を検討した。C₄Hの電子および磁気特性に対する歪修飾,空孔ドーピングおよび非金属(B,N,P)ドーピングの影響を調べた。C₄Hシートは広い間接バンドギャップを有する非磁性半導体であり,原子構造,結合エネルギーおよび電子特性は歪によって顕著に変化させることができ,空孔欠陥によって固有磁性を備えることが可能であり,H空孔ドーピングによって室温強磁性の可能性があり,B,P,Nドーピングによって局所磁気モーメントが生じる可能性もあった。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *水素化物 ,  電子構造 ,  磁気的性質 ,  歪 ,  欠陥 ,  ドーピング ,  計算 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *グラフェンシート ,  第一原理計算

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 歪効果 ,  固有欠陥 ,  外来 ,  原子 ,  重合体 ,  電子 ,  磁気特性