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J-GLOBAL ID：201202234282402783   整理番号：12A0612396

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるMoSe₂形成のための決定的因子

Determining factor of MoSe₂ formation in Cu(In,Ga)Se₂ solar Cells

著者 (7件)： ZHU Xiaolong (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  ZHOU Zhen (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  WANG Yaoming (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  ZHANG Lei (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  LI Aimin (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  HUANG Fuqiang (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, 1295 DingXi ...) ,  HUANG Fuqiang (State Key Lab. of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, Coll. of Chemistry & Molecular Engineering ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 101  ページ： 57-61  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)太陽電池において,Cu(In,Ga)Se₂/Moに必要なインターフェース層としてのMoSe₂層が,セレン化過程でMoとCIGS/Mo膜内に形成されることが観測された。MoSe₂の決定因子を明かにするために,MoSe₂厚とMoスパッタ圧との相関を調べた。スパッタ圧の低下とともにMoSe₂厚が増加した。さらに,MoSe₂厚のSiO₂層堆積時間依存性,およびX線光電子分光法とRaman分光法による評価から,MoSe₂層の形成にNa₂Se_x化合物が決定的役割を果たすことがわかった。照射したI-V特性から,厚過ぎるMoSe₂層では,CIGS太陽電池に高い直列抵抗が誘起されることが分かった。薄過ぎるMoSe₂層の場合は,Mo層からの吸収層の剥がれのために効率の著しい劣化が観測された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  化学反応 ,  *電流電圧特性 ,  *エネルギー変換効率 ,  電気抵抗 ,  Raman分光法 ,  *X線光電子分光法
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  *セレン化反応 ,  セレン化インジウム銅薄膜太陽電池 ,  直列抵抗

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  因子