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J-GLOBAL ID：201202234420015010   整理番号：12A0140304

イオン注入有機薄膜トランジスタの光電流分光法

Photocurrent spectroscopy of ion-implanted organic thin film transistors

著者 (10件)： FRABONI B. (Dipartimento di Fisica, Universita di Bologna, viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, ITA) ,  SCIDA A. (Dipartimento di Fisica, Universita di Bologna, viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, ITA) ,  CAVALLINI A. (Dipartimento di Fisica, Universita di Bologna, viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, ITA) ,  MILITA S. (CNR-IMM, Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, ITA) ,  COSSEDDU P. (Dipartimento di Ingegneria Elettrica ed Elettronica, Universita di Cagliari, piazza d’Armi, 09123 Cagliari, ITA) ,  COSSEDDU P. (CNR-IMM S3 via Campi 213/a, 41100 Modena, ITA) ,  BONFIGLIO A. (Dipartimento di Ingegneria Elettrica ed Elettronica, Universita di Cagliari, piazza d’Armi, 09123 Cagliari, ITA) ,  BONFIGLIO A. (CNR-IMM S3 via Campi 213/a, 41100 Modena, ITA) ,  WANG Y. (Los Alamos National Lab., MS-K771, Los Alamos, NM 87545, USA) ,  NASTASI M. (Los Alamos National Lab., MS-K771, Los Alamos, NM 87545, USA)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 161  号： 23-24  ページ： 2585-2588  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿で,有機薄膜トランジスタ(OTFT)の完全動作素子におけるペンタセン層の活性厚さの同定を目指し,各種厚さのペンタセン薄膜におけるバンド端付近の電気的利用可能状態の分布を検討した。膜構造をX線回折法により研究し,一方,バンド端周囲の相対的な電子密度状態分布(DOS)を,光電流(PC)分光分析により検討した。OTFTに及ぼすイオン注入の効果を,各種エネルギーおよび線量のN⁺イオン注入OTFTのPC解析により検討した。そこで著者らは,完全動作OTFTにおける活性半導体膜の直接研究を可能にする,PC分光法が,非侵襲的な方法でDOS分布の改質を検出する驚くべき能力を有することを実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *薄膜トランジスタ ,  *有機半導体 ,  *光電流 ,  *スペクトロスコピー ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポリアセン ,  電子密度 ,  密度分布 ,  状態密度 ,  X線回折 ,  バンド構造 ,  窒素 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： バンド端発光 ,  *光電流分光分析 ,  電子状態密度 ,  電子密度分布 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン注入 ,  有機薄膜トランジスタ ,  光電流分光法