文献

J-GLOBAL ID：201202234519254369   整理番号：12A0900347

ゾル-ゲル法によるCeとMnドープBa_0.6Sr_0.4TiO₃膜の結晶化および成長挙動に対する予加熱の影響

Influence of preheating on crystallization and growing behavior of Ce and Mn doped Ba_0.6Sr_0.4TiO₃ film by sol-gel method

著者 (6件)： LIAO Jiaxuan ,  XU Ziqiang ,  WEI Xubo ,  WEI Xiongbang ,  WANG Peng ,  YANG Bangchao
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 206  号： 22  ページ： 4518-4524  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セリウムとマンガンを共ドープしたBa_0.6Sr_0.4TiO₃(CeMn-BST)膜および純粋なBST,Ce-BSTおよびMn-BST膜を作製した。膜の結晶化と成長挙動に対する予加熱の影響を調べた。X線回折(XRD)は+,全ての膜が主に(110)方位に沿って成長し,ABO₃ペロブスカイト構造を示すこと,そして予加熱がCe³⁺およびMn⁴⁺イオンのBサイトへの侵入とTi⁴⁺イオンとの置換を促進することを明らかにした。予加熱は結晶化を促進し,CeMn共ドープと共に最も強い結晶化を形成した。原子間力顕微鏡(AFM)は,予加熱された膜が層状の成長を示し,一方予加熱していないものは島状成長を示し,それは層数とドーピングに関係していることを示した。そのため,予加熱した膜は,純粋なBST膜を除き,より高い誘電率,より高い調整能そしてより低い誘電損失そしてより高い性能指数(FOMs)を示した。CeMn共ドープと共に予加熱は,可変マイクロ波応用のニーズに合う,56%の可同調性,0.0037~0.0091の損失および150に近いFOMを有する最も良い誘電特性をもたらす。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *セリウム ,  *マンガン ,  ドーピング ,  ゾル-ゲル法 ,  *誘電体薄膜 ,  *結晶化 ,  *薄膜成長 ,  *予熱 ,  ウエハ【IC】 ,  白金 ,  チタン ,  多層膜 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  表面構造 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  性質 ,  性能指数 ,  ポリビニルピロリドン ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  ケイ素基板 ,  *チタン酸バリウムストロンチウム ,  可同調性 ,  共ドーピング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体測定技術・装置  (BM05020Q)

物質索引 (3件)： チタン酸テトラブチル ,  酢酸ストロンチウム ,  酢酸バリウム

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル法 ,  Ce ,  Mn ,  ドープ ,  結晶化 ,  成長 ,  挙動 ,  予加熱