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J-GLOBAL ID：201202234692730249   整理番号：12A0256268

GaAsとInPにおけるホットキャリアの冷却速度におよぼすホットフォノン効果と谷間間散乱の間の相互関係

Interplay between the hot phonon effect and intervalley scattering on the cooling rate of hot carriers in GaAs and InP

著者 (8件)： CLADY Raphael (Univ. Sydney, NSW, AUS) ,  TAYEBJEE Murad J. Y. (Univ. Sydney, NSW, AUS) ,  ALIBERTI Pasquale (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  KOENIG Dirk (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  EKINS-DAUKES Nicholas John (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  CONIBEER Gavin J. (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  SCHMIDT Timothy W. (Univ. Sydney, NSW, AUS) ,  GREEN Martin A. (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 20  号： 1  ページ： 82-92  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクGaAsとInPにおけるホットキャリアの緩和を,準ピコ秒域時間分解光ルミネセンス法で調べた。両物質では電子バンドギャップが類似するがフォノンバンドギャップが大きく異なるために,InPではホットフォノン効果の影響が明らかになった。数種類の励起波長を利用して,副次的谷間散乱が緩和におよぼす影響を調べた。GaAsとInPでは,初期キャリア濃度8×10¹⁹cm^-3のとき,バンドギャップエネルギーからポンプエネルギーを越すエネルギーまで拡がる極めて幅広の放射スペクトルが測定された。これはレーザパルス後の極めて初期(約100fs)におけるキャリアの超高速相互作用を裏付ける。全光ルミネセンススペクトルのシミュレーション結果を実験データにフィットさせて,両化合物におけるホットキャリア温度の時間依存性を求めた。GaAsとInPにおける光ルミネセンス減衰率の励起波長依存性は,GaAsのXとL谷間の役割,および冷却過程における谷間間散乱の影響の証明である。温度変化の励起波長依存性も光励起後の初期における谷間間散乱の影響を裏付ける。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *ホットキャリア ,  時間分解分光法 ,  *光ルミネセンス ,  *バンドギャップ ,  キャリア密度 ,  温度 ,  波長依存性
準シソーラス用語： *フォノンバンドギャップ ,  ホットキャリア温度 ,  励起波長依存性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  InP ,  ホットキャリア ,  冷却速度 ,  ホットフォノン ,  散乱 ,  相互関係