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J-GLOBAL ID：201202234823082159   整理番号：12A0345301

最新CMOSロジック技術のための高スケーラブルインタフェイスヒューズ

A Highly Scalable Interface Fuse for Advanced CMOS Logic Technologies

著者 (5件)： YANG Li-Yu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSIEH Min-Che (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Jheng-Sin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIN Yung-Wen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chrong Jung (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 2  ページ： 245-247  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的プログラマブルヒューズはCMOSトリミングなどで広く用いられている。埋込みヒューズでは大きなプログラミング電流が問題になっている。本稿では,コンタクトと金属層間のインタフェイスが小さな新規インタフェイス(i)ヒューズ素子を検討した。0.35及び0.18μmCMOSロジックプロセスを用いて,金属コンタクト及びコンタクトポリシリコン構造で重なり合い面積を最小にしたiヒューズを作製した。ヒューズ面積とプログラミング電流の関係を調べ,iヒューズのプログラミング特性を測定した。この結果により,iヒューズセルはプログラミングパワーを削減し,CMOSロジックのスケーリングが可能であることを示した。iヒューズの駆動電圧は2V以下で,プログラミング電流は2から3倍小さくなった。

シソーラス用語： *ヒューズ ,  *CMOS構造 ,  *インタフェイス ,  スケーリング【計数】 ,  論理回路 ,  半導体プロセス ,  半導体素子 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： CMOS論理回路 ,  コンタクト ,  駆動電圧 ,  電気ヒューズ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  保護装置  (NB09040T)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  ロジック