文献

J-GLOBAL ID：201202234832039568   整理番号：12A0645413

CdZnSe薄膜の電気化学的合成と研究

Electrosynthesis and Studies on CdZnSe Thin Films

著者 (6件)： MAHALINGAM T. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  DHANASEKARAN V. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  RAJENDRAN S. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  CHANDRAMOHAN R. (Sree Sevugan Annamalai Coll., Devakottai, IND) ,  IXTLILCO Luis (Universidad Politecnica del Estado de Guerrero, Guerrero, MEX) ,  SEBASTIAN P.J. (UNAM, Morelos, MEX)
資料名： Journal of New Materials for Electrochemical Systems  (Journal of New Materials for Electrochemical Systems)
巻： 15  号： 1  ページ： 37-42  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1892A  ISSN： 1480-2422  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： カナダ (CAN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着によって調製したCdZnSe薄膜のキャラクタリゼーションを行った。CdZnSe薄膜は浴(CdSO₄/ZnSO₄/SeO₂水溶液)温度30~90°Cで,電着によりITO被覆ガラス基板上に形成させた。キャラクタリゼーションについては,調製した薄膜は立方晶系の多結晶であることを示し,格子間隔及び結晶子径などの構造パラメータを求めた(X線回折)。膜厚は850~1500nmであった。電子顕微鏡観察により表面モルホロジーや表面粗さを調べた。光学的性質については,透過及び吸収スペクトル測定により吸光係数,屈折率,及び光学バンドギャップを測定した。光学バンドギャップは浴温度の上昇とともに1.67eVから1.72eVに増大した。表面モルホロジーについては,原子間力顕微鏡の測定結果も示した。エネルギー分散蛍光X線分析によりCdZnSe薄膜の原子比は1:1:1であることを示した。

シソーラス用語： *セレン化物 ,  亜鉛化合物 ,  カドミウム化合物 ,  *半導体薄膜 ,  電着 ,  *キャラクタリゼーション ,  多結晶 ,  立方晶系 ,  構造パラメータ ,  間隔 ,  結晶粒径 ,  膜厚 ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  光学的性質 ,  屈折率 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： *セレン化カドミウム亜鉛 ,  格子間隔 ,  吸光係数

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  化学的合成 ,  研究