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J-GLOBAL ID：201202234888518272   整理番号：12A1030174

界面技術による有機材料へのスピン注入の操作

Manipulating spin injection into organic materials through interface engineering

著者 (6件)： YUE F. J. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  SHI Y. J. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  CHEN B. B. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  DING H. F. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  ZHANG F. M. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  WU D. (National Lab. of Solid State Microstructures and Dep. of Physics, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 2  ページ： 022416-022416-4  発行年： 2012年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0.67Sr_0.33MnO₃(LSMO)/Alq₃/Co有機スピンバルブ素子において,スピン注入効率と界面抵抗との相関を調べた。銅フタロシアニン(CuPc)の薄層をLSMOとAlq₃との間に挿入すると,この素子の磁気抵抗効果(MR)は,50Kで,僅か約0.4%に減少した。これはCuPc挿入層を用いない素子に対する同一バイアス電圧でのMR比約6%と極めて対照的であることを記した。一方,電気抵抗率は1桁減少し,界面障壁高さの低下を示した。これらの結果は,LSMO/CuPc界面でのスピン注入効率と界面抵抗の低下との間の顕著な相関を反映した。これらの発見は,電気伝導率ミスマッチ問題が有機材料に適用できること,界面抵抗がスピン注入効率に重要な影響を有することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *有機伝導体 ,  酸化ストロンチウム ,  酸化マンガン ,  酸化ランタン ,  コバルト ,  置換型固溶体 ,  *注入 ,  電気抵抗率 ,  磁気抵抗効果 ,  温度依存性
準シソーラス用語： LSMO ,  *スピンバルブ ,  *スピン注入

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

物質索引 (2件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム ,  銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面 ,  有機材料 ,  スピン注入