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J-GLOBAL ID:201202234995258739   整理番号:12A0568646

スズ(IV)酸化物ナノ結晶性薄膜における電子輸送:超微小ナノ結晶サイズレジームに対する三次元可変範囲ホッピング機構による二種類の媒質輸送

Electronic Transport in Tin(IV) Oxide Nanocrystalline Films: Two-Medium Transport with Three-Dimensional Variable-Range Hopping Mechanism for the Ultrasmall Nanocrystallite Size Regime
著者 (4件):
資料名:
巻: 116  号:ページ: 4979-4985  発行年: 2012年03月01日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SnCl4のイソプロパノール溶液のスピンコーティングに続く,酸素中ポストアニーリングにより,酸化スズナノ結晶性薄膜(TO薄膜)を調製し,その光学的及び電子的輸送特性について研究した。キャラクタリゼーションを,SEM,TEM,XRD,紫外可視吸収スペクトル,ヘリウムイオン顕微鏡などにより行った。その結果,次のことが分った。1)TO薄膜は,光透過性は90~100%,バンドギャップはバルク酸化スズより大きく,3.71~3.87eVであった。ポストアニーリングの温度が高くなるにつれ,ナノ微結晶の粒径は大きくなった,2)350°C以上でポストアニーリングした試料は導電性であったが,350°Cより低い温度でポストアニーリングした試料は,非晶質で導電性がなかった,3)350~700°Cでポストアニーリングすることにより得られた試料における,観測された比抵抗データの温度依存性曲線には,並列抵抗器モデルが最も良くフィットした。二媒質モデルが正しい事を証明している。
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
物質索引 (1件):
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