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J-GLOBAL ID：201202234999071579   整理番号：12A0566390

空気中露光による数分間でのポリ(3-ヘキシルチオフェン)の劣化

Matter of minutes degradation of poly(3-hexylthiophene) under illumination in air

著者 (3件)： COOK Steffan (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FURUBE Akihiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATOH Ryuzi (Nihon Univ. Coll. Engineering, Fukushima Prefecture, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 10  ページ： 4282-4289  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共役重合体の有機半導体による素子の寿命を検討した。市販P3HTを暗所でスピンコートして薄膜にした。露光して蛍光減衰をその場測定した。空気中では劣化が直ちに進行し,バンドギャップエネルギーより強い入射光子数当り3×10^-6の欠陥を生じた。その反応速度は日光下では1秒以内,室内光で数分の時間で10¹⁶箇所以上の欠陥ができる計算になる。反応経路は励起状態の重合体を基底状態の分子状酸素が攻撃すると思われ,この反応自体は自己阻害型で,欠陥生成は時間経過で遅くなり,最後にこの機構では反応が進行しない準安定状態に達し,欠陥密度は約2×10¹⁷cm^-3が上限となる。OLEDに使われる重合体自身ではないが化学性が似ているからこの機構が適用できるであろう。PCBMと併用する太陽電池の場合はPCBMのお陰で上記機構は作用しないで安定である。

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  *高分子薄膜 ,  *光劣化 ,  *空気酸化 ,  欠陥 ,  欠陥密度 ,  蛍光減衰 ,  計測 ,  露光 ,  *大気中 ,  *反応速度 ,  酸素 ,  二原子分子 ,  基底状態 ,  *阻害 ,  *準安定状態 ,  上限 ,  発光ダイオード ,  太陽電池 ,  フラーレン
準シソーラス用語： PCBM ,  その場測定 ,  *ポリ(3-ヘキシルチオフェン) ,  *自己阻害 ,  分子状酸素 ,  有機太陽電池 ,  OLED

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 空気中 ,  露光 ,  3-ヘキシルチオフェン