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J-GLOBAL ID:201202235054677531   整理番号:12A1391722

HZBにおける高効率Zn(S,O)/Cu黄銅鉱薄膜太陽電池およびモジュールのスケールアップにおける最近の進展

Recent progress in scaling up highly efficient Zn(S,O)/Cu-chalcopyrite thin film solar cells and modules at HZB
著者 (1件):
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巻: 49  ページ: 68-71  発行年: 2013年01月 
JST資料番号: A0124C  ISSN: 0960-1481  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,パイロットライン低ギャップCu(In,Ga)(SSe)2(CIGSSe,Eg=1.03eV)および生産規模ワイドギャップCuInS2(CIS,Eg=1.54eV)に適用するヘテロ接合パートナ層としてのZn(S,O)バッファを対象にした最近の研究について報告した。Cu黄銅鉱太陽電池およびモジュールの製作のためにZn(S,O)のプロセシング制御が果たす重要な役割を明らかにした。最新の高分解能透過型電子顕微鏡,X線光電子およびX線Auger分光法(XPSおよびXAES)ならびにLエッジXASによる相関で得た解析情報を考察した。多数の高効率実験室規模太陽電池およびモノリシックに相互接続した試作CIGSSeならびにCISモジュールを調製した。効率はCdSベースライン基準と同等,あるいはこれを上回ることもあった。電気的,電子的性質,および光吸収のようなCdなしデバイスに出現する現象を考察した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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