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J-GLOBAL ID：201202235116552986   整理番号：12A1387283

面内配向単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果

Free electron laser irradiation effect of In-plane aligned single-walled carbon nanotubes

著者 (6件)： 相良拓実 (日本大 理工) ,  石井宏治 (東京理大 理) ,  土肥智史 (日本大 理工) ,  矢島博文 (東京理大 理) ,  岩田展幸 (日本大 理工) ,  山本寛 (日本大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 175(CPM2012 33-50)  ページ： 61-66  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes:SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため,面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として,r面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser:FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より,r面サファイア基板にFEL未照射で成長させた場合,半導体性のSWNTsが成長しており,SPM表面像より[-1101]方向に揃って成長していたが,長さは500nmとなった。SiO₂/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより,6種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみ制限された。(著者抄録)

シソーラス用語： *自由電子レーザ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *レーザ照射 ,  *結晶方位 ,  サファイア ,  基板 ,  *光学異性 ,  *制御 ,  同時性 ,  半導性
準シソーラス用語： 面内配向 ,  面性キラリティー ,  配向制御

分類 (2件)： 巨大分子,高分子  (BH09020D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (37件)：

• KONG, J. Quantum Interface and Ballistic Transmission in Nanotube Electron Waveguides. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 106801
• YAO, Z. Electrical Transport in Single-Wall Carbon Nanotubes. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 2941
• GHARLIE, J. C. Electronic and transport properties of nanotubes. Rev. Mod. Phys. 2007, 79, 677
• DURKOP, T. Extraordinary Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes. Nano Lett. 2004, 4, 35
• WONG, E. W. Nanobeam Mechanics : Elasticity, Strength, and Toughness of Nanorods and Nanotubes. Science. 1997, 277, 1971

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  単層カーボンナノチューブ ,  自由電子レーザー ,  照射効果