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J-GLOBAL ID：201202235120570930   整理番号：12A1767505

強誘電性Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃膜の組込み電場の調節による単一ディジットナノメートル反転領域の長期安定性

Tuning the Built-in Electric Field in Ferroelectric Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃ Films for Long-Term Stability of Single-Digit Nanometer Inverted Domains

著者 (10件)： TAYEBI Noureddine (Intel Corp., California, USA) ,  KIM Sunkook (Intel Corp., California, USA) ,  TAYEBI Noureddine (Stanford Univ., California, USA) ,  KIM Sunkook (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  CHEN Robert J. (Intel Corp., California, USA) ,  TRAN Quan (Intel Corp., California, USA) ,  FRANKLIN Nathan (Intel Corp., California, USA) ,  NISHI Yoshio (Stanford Univ., California, USA) ,  MA Qing (Intel Corp., California, USA) ,  RAO Valluri (Intel Corp., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 11  ページ： 5455-5463  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶SrRuO₃-SrTiO₃(100)単結晶面上にMOCVDによりチタン酸ストロンチウム(100)薄膜をヘテロエピ成長させ,その上に原子平坦なPZT膜(17nm)を成長させた。原子間力顕微鏡,透過型電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。白金電極を形成し,電流電圧特性および容量電圧特性を測定した。H₂/O₂プラズマ処理の繰返しにより表面近傍のPb空孔に起因する表面電荷を減少させ,表面組込み電場を低下させることができた。X線光電子スペクトルにより表面の酸化還元過程を観察した。処理条件の最適化により4.9Vバイアスにより3.2nmサイズの上/下方向分極スポットの記録を実証した。60Tbit/in²の高密度記録への応用を示唆した。

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  単結晶 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  結晶成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  白金電極 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  プラズマ処理 ,  プラズマ ,  試験 ,  実験 ,  表面電荷 ,  X線光電子スペクトル ,  酸化還元反応 ,  *分極 ,  記録 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  *強誘電性薄膜 ,  繰返し実験 ,  高密度記録 ,  酸化還元 ,  酸素プラズマ ,  垂直記録【分極】 ,  水素プラズマ

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強誘電性 ,  Pb ,  O3 ,  組込み ,  電場 ,  調節 ,  反転 ,  長期安定性