YU Ruomeng について
Georgia Inst. Technol., GA, USA について
DONG Lin について
Georgia Inst. Technol., GA, USA について
DONG Lin について
Zhengzhou Univ., Zhengzhou, CHN について
PAN Caofeng について
Georgia Inst. Technol., GA, USA について
NIU Simiao について
Georgia Inst. Technol., GA, USA について
LIU Hongfei について
Inst. Materials Res. and Engineering, A*STAR(Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP について
LIU Wei について
Nanyang Technol. Univ., Singapore, SGP について
CHUA Soojin について
Inst. Materials Res. and Engineering, A*STAR(Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP について
CHI Dongzhi について
Inst. Materials Res. and Engineering, A*STAR(Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP について
WANG Zhong Lin について
Georgia Inst. Technol., GA, USA について
WANG Zhong Lin について
Beijing Inst. Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について
Advanced Materials について
屈曲度 について
圧電素子 について
窒化ガリウム について
薄膜 について
応力割れ について
ナノ構造 について
走査電子顕微鏡 について
透過型電子顕微鏡 について
高分解能電子顕微鏡 について
制限視野回折 について
電極 について
ポリジメチルシロキサン について
高分子薄膜 について
センサ について
電流電圧特性 について
PDMS【重合体】 について
ナノベルト について
銀電極 について
屈曲性 について
歪検出器 について
半導体薄膜 について
圧電デバイス について
高分子担体・触媒反応 について
屈曲性 について
エレクトロニクス について
GaN について
ナノベルト について
輸送特性 について
圧電効果 について