エネルギーハーベスティング素子応用のための0.72Pb(Zr0.47Ti0.53)O3-0.28Pb[(Zn0.45Ni0.55)1/3Nb2/3]O3厚膜の強誘電性および圧電特性

JEONG Young Hun; KIM Kyoung Bum; KIM Kyoung Bum; LEE Young-Jin; CHO Jeong-Ho; KIM Byoung-Ik; PAIK Jong-Hoo; NAHM Sahn

文献

J-GLOBAL ID：201202235242262527 整理番号：12A1440992

エネルギーハーベスティング素子応用のための0.72Pb(Zr_0.47Ti_0.53)O₃-0.28Pb[(Zn_0.45Ni_0.55)_1/3Nb_2/3]O₃厚膜の強誘電性および圧電特性

Ferroelectric and Piezoelectric Properties of 0.72Pb(Zr_0.47Ti_0.53)O₃-0.28Pb[(Zn_0.45Ni_0.55)_1/3Nb_2/3]O₃ Thick Films for Energy Harvesting Device Application

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 51 号： 9,Issue 3 ページ： 09MD04.1-09MD04.4 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

エネルギーハーベスティング素子応用のために,0.72Pb(Zr_0.47Ti_0.53)O₃-0.28Pb[(Zn_0.45Ni_0.55)_1/3Nb_2/3]O₃(PZT-PZNN)圧電厚膜の強誘電性と圧電特性を調べた。1100°Cで熱処理を行った場合,焼結したPZT-PZNN厚膜は高密度で平坦であった。PZT-PZNN厚膜を通常のテープキャスティング法により作成した。試料は,P_r=20.6μC/cm²,d₃₃=370pC/N,ε^T₃₃/ε₀=1185,k_p=0.44というかなりの強誘電性と圧電性を示した。さらに,高エネルギー密度物質を特徴付けるd₃₃・g₃₃は,ほぼ13050×10^-15m²/Nという大きな値を示した。したがって,PZT-PZNN厚膜は,エネルギーハーベスティング素子応用のため有望な圧電材料になりうる。(翻訳著者抄録)

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強誘電体,反強誘電体,強弾性

引用文献 (22件)：

1) H. Kim, V. Bedekar, R. Islam, W. H. Lee, D. Leo, and S. Priya: IEEE Ultrason. Freq. Ferroelectr. Control 55 (2008) 1900.
2) I. T. Seo, Y.-J. Cha, I.-Y. Kang, J.-H. Choi, S. Nahm, T.-H. Seung, and J.-H. Paik: J. Am. Ceram. Soc. 94 (2011) 3629.
3) R. A. Islam and S. Priya: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 032903.
4) S. Priya: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 57 (2010) 2610.
5) S. Priya: J. Electroceram. 19 (2007) 167.

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