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J-GLOBAL ID：201202235252302748   整理番号：12A0835799

余分なSeの供給を必要としない黄銅鉱相Cu(In,Ga)Se₂吸収体のワンステップ製作のための有望なスパッタリング法

A promising sputtering route for one-step fabrication of chalcopyrite phase Cu(In,Ga)Se₂ absorbers without extra Se supply

著者 (7件)： CHEN Chia-hsiang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  SHIH Wen-chieh (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHIEN Chih-yu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HSU Chia-hao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  WU Yan-huie (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LAI Chih-huang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LAI Chih-huang (Low Carbon Energy Res. Center, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 103  ページ： 25-29  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長中/成長後またはポストセレン化処理の際の余分なSe供給を必要としない,黄銅鉱Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)吸収体のワンステップ製作について報告する。単一の四元CIGSターゲットを用いたパルスDCスパッタリング法で,黄銅鉱構造が500°Cで余分なSeを供給することなく基板上に自然に発生する。得られたCIGS吸収体は(112)優先方位の柱状粒子を有する。若干Seの不足する膜に対してデバイス効率8.22%が観測された。ターゲットの組成をさらに調整することにより,効率は10.4%にまで向上した。Seの不足する状況でもデバイス品質のCIGS吸収体が形成でき,ターゲットのSe成分を調整することによって効率の更なる改良を達成できることを示した。従って,ワンステップスパッタリングプロセスは薄膜CIGS太陽電池の大量生産を,低価格と高処理量で実現する素晴らしい潜在能力を有することが示された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *スパッタ蒸着 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  *銅化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  効率 ,  優先配向
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  *CIGS ,  デバイス効率

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Se ,  黄銅鉱 ,  Cu ,  Ga ,  吸収体 ,  製作 ,  スパッタリング法