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J-GLOBAL ID:201202235258764638   整理番号:12A0652115

磁気センシング応用のための小型エピタキシャルグラフェンデバイス

Small epitaxial graphene devices for magnetosensing applications
著者 (6件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 07E509-07E509-3  発行年: 2012年04月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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SiC上にエピタキシャル成長させた単層グラフェンから幅が0.5から20.0μmのHallセンサを作成した,室温における輸送及びノイズスペクトル測定を用いてセンサーを研究した。典型的な10μmグラフェンセンサーの最小検出可能磁場は約2.5μT/√Hzで,この感度は大きさとキャリア濃度が同程度の最新半導体デバイスと同程度でCVDグラフェンから作成されたデバイスよりも優れている。比較的高抵抗なので最小500nmデバイスの性能が制限されている。キャリア移動度は,サイズに大きく依存し,デバイス性能の最適化における内在的及び外在的因子として重要である。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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磁性体測定技術・装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
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