文献

J-GLOBAL ID：201202235307137660   整理番号：12A0363874

Bi₂MO₆(M=Mo,W)の電子特性及び光触媒特性に及ぼす酸素空孔及びNドーピングの影響

Effects of oxygen vacancy and N-doping on the electronic and photocatalytic properties of Bi₂ MO₆ (M=Mo, W)

著者 (7件)： LAI Kangrong (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN) ,  LAI Kangrong (Departments of Physics, Changji Univ., Changji 831100, CHN) ,  WEI Wei (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN) ,  ZHU Yingtao (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN) ,  GUO Meng (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN) ,  DAI Ying (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN) ,  HUANG Baibiao (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Shanda South Road 27#, Jinan 250100, CHN)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 187  ページ： 103-108  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₂MO₆(M=Mo,W)の電子特性を,第1原理計算により研究した。Bi₂WO₆がBi₂MoO₆より高い光触媒活性を有するのは,より小さい電子有効質量に起因する。Bi₂MO₆中の酸素空孔は,光生成電子の捕捉中心として作用し,このため光触媒効率に好適である。窒素ドーピングは,局在構造歪みを誘起し,光生成電子-正孔対の分離を改良する。さらに,ドーピング濃度の増加とともにバンドギャップは明らかに減少し,それ故光吸収端は,Bi₂MO₆における赤色シフトを引き起こす。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *モリブデン化合物 ,  *タングステン化合物 ,  *酸化物 ,  *光触媒 ,  *空格子点 ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  計算 ,  有効質量 ,  光生成 ,  捕獲 ,  効率 ,  電子正孔対 ,  バンドギャップ ,  吸収端 ,  赤 ,  交替制度
準シソーラス用語： シフト ,  *酸素空孔 ,  触媒効率 ,  赤色 ,  第一原理計算 ,  捕捉

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  触媒特性 ,  酸素空孔 ,  ドーピング