文献

J-GLOBAL ID：201202235319011980   整理番号：12A1174565

ペリレンジイミドに基づく小分子n型有機薄膜トランジスタにおける移動度に対する状態密度の影響

Effect of Density of States on Mobility in Small-Molecule n-Type Organic Thin-Film Transistors Based on a Perylene Diimide

著者 (11件)： CASTRO-CARRANZA A. (Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  NOLASCO J.C. (Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  ESTRADA M. (Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional(CINVESTAV-IPN), Mexico, MEX) ,  GWOZIECKI R. (Commissariat a l’energie atomique, Grenoble, FRA) ,  BENWADIH M. (Commissariat a l’energie atomique, Grenoble, FRA) ,  XU Y. (Inst. National Politecnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  CERDEIRA A. (Centro de Investigacion y Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional(CINVESTAV-IPN), Mexico, MEX) ,  MARSAL L.F. (Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  GHIBAUDO G. (Inst. National Politecnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  INIGUEZ B. (Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  PALLARES J. (Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1201-1203  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでに開発されている有機薄膜トランジスタ(OTFTs)はp型が多いが,CMOSデバイスを製作するにはn型OTFTsも必要である。状態密度(DOS)特性の測定は有機半導体材料の設計や開発に有効である。本稿では,小分子n型有機半導体材料ペリレンジイミド,ActivinkTM N1400による有機薄膜トランジスタ(OTFTs)の電界効果移動度に対するDOSの影響を調べた。統一モデルと抽出法(UMEM)およびゲートバイアスによるモデル電荷移動度式を使った。p型有機半導体材料6,13-ビス(トリイソプロピルシリレチニル)ペンタセン(TIPS-ペンタセン)とポリ(トリアリルアミン)(PTAA)を使ったOTFTsとの比較を行った。その結果,N1400試料の移動度は測定電圧範囲で4桁増加し,最高ゲート電圧でPTAAの移動度と同じになった。さらに,DOS分布の移動度に対する影響について考察した。

シソーラス用語： *状態密度 ,  酸イミド ,  芳香族縮合化合物 ,  薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  キャリア移動度 ,  統一模型
準シソーラス用語： 統一モデル ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *ペリレンジイミド

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペリレンジイミド ,  小分子 ,  有機薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  状態密度