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J-GLOBAL ID：201202235450551567   整理番号：12A1167173

反蛍石構造のマグネシウム₂X固溶体の欠陥と相安定性: ab initio研究

Defect and phase stability of solid solutions of Mg₂ X with an antifluorite structure: An ab initio study

著者 (4件)： VIENNOIS Romain (Inst. de Chimie Moleculaire et des Materiaux I.C.G., UMR-CNRS 5253, Univ. Montpellier II, Place E. Bataillon, 34095 ...) ,  JUND Philippe (Inst. de Chimie Moleculaire et des Materiaux I.C.G., UMR-CNRS 5253, Univ. Montpellier II, Place E. Bataillon, 34095 ...) ,  COLINET Catherine (Sci. et Ingenierie des Materiaux et Procedes, Grenoble INP, UJF, CNRS, 38402 Saint Martin d’Heres Cedex, FRA) ,  TEDENAC Jean-claude (Inst. de Chimie Moleculaire et des Materiaux I.C.G., UMR-CNRS 5253, Univ. Montpellier II, Place E. Bataillon, 34095 ...)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 193  ページ： 133-136  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg₂X(X=Si,Ge又はSn)反蛍石化合物とその固溶体の擬二元系状態図を研究するために,第1原理計算を行った。端成分化合物の形成エネルギーは,実験と定性的に一致した。X=SiとGeに対して完全な可溶性があるが,擬二元系状態図におけるミスシビリティギャップを観察した。これは,ごく最近の実験と状態図評価と一致する。Mg₂Si_1-xSn_x合金の計算された電子物性は,実験と定性的に一致し,特に,SiがSnにより代替されたとき,エネルギーバンドギャップは減少する。3つの端成分化合物中の欠陥によって誘導された最も安定な欠陥とドーピングを決定するために,スーパーセル計算も行った。純Mg₂Siの固有のn-ドーピングは,格子間位置のマグネシウム原子の存在に起因することがわかった。他の欠陥が安定であるから,Mg₂GeとMg₂Snにおいて,それらはp型でもあり得る。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネシウム化合物 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  スズ化合物 ,  計算 ,  状態図 ,  *固溶体 ,  成分 ,  バンドギャップ ,  ドーピング ,  エネルギー ,  ab initio法
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  第一原理計算 ,  端成分

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蛍石構造 ,  マグネシウム ,  固溶体 ,  欠陥 ,  相安定性 ,  研究