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J-GLOBAL ID：201202235489341942   整理番号：12A1000316

ガラス基板上での無電解銅堆積物に関する微細構造および電気伝導率の発展

Evolution of microstructure and electrical conductivity of electroless copper deposits on a glass substrate

著者 (3件)： CUI Xiaoyun ,  HUTT David A. ,  CONWAY Paul P.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 19  ページ： 6095-6099  発行年： 2012年07月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,エレクトロニクス製造での応用に対して,ガラス基板上での無電解銅堆積について,微細構造と電気伝導率との発展を記した。このガラス基板は,(3-アミノプロピル)トリメトキシシラン(APTS)前処理とそれに続くPd/Sn触媒処理とを用いて活性化した。堆積した銅薄膜の表面形態に関するキャラクタリゼーションは,2ビーム集束イオンビーム電界放出型走査電子顕微鏡および原子間力顕微鏡を用いて行った。その結果は,堆積時間の延長に伴って,表面粗さと粒径とが共に増大することを明らかに示した。薄膜厚さ測定は高い初期堆積速度を示した。この速度は,厚さが100nm超になると一定レベルに低下した。この現象は,この薄膜の電気抵抗率の挙動,つまり,電気抵抗率は膜厚の20→100nmの増大で急速に減少するが,その後,バルク銅の電気抵抗率の約2倍のレベルで安定化すること,に対応することを指摘した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 無電解めっき ,  *銅 ,  *金属薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  前処理 ,  金属触媒 ,  *微細構造 ,  *電気伝導率 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  形態 ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  結晶粒径 ,  膜厚 ,  脂肪族アミン ,  有機ケイ素化合物 ,  第一アミン
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  表面形態

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

物質索引 (1件)： APTS

タイトルに関連する用語 (7件)： ガラス基板 ,  電解 ,  銅 ,  堆積物 ,  微細構造 ,  電気伝導率 ,  発展