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J-GLOBAL ID：201202235653215643   整理番号：12A0630221

c面サファイア上の厚いMgB₂膜のマイクロ波表面抵抗 表面抵抗の深さプロフィル研究

Microwave surface resistance of thick MgB₂ films on c-plane sapphire: a study on the depth profile of the surface resistance

著者 (8件)： JUNG Ho Sang (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Woo Il (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jae Hun (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  SEONG Won Kyung (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KANG Won Nam (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHO Man Soon (Korea Atomic Energy Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  CHOO Kee Nam (Korea Atomic Energy Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  LEE Sang Young (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 3  ページ： 035016,1-9  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイア基板にハイブリッド物理-化学蒸着(HPCVD)を用いてエピタキシャル成長した厚み1μmのMgB₂膜の有効表面抵抗(R_S,eff),固有表面抵抗(R_S),臨界温度(T_C),常伝導状態抵抗率(ρ_N)の深さプロフィルを,7~45Kの温度と8.5GHzで研究した。測定は,厚み1μmの初期MgB₂膜と厚み900,800,600,400nmのArイオンミリングMgB₂膜について行った。X線回折から,40.4KのT_Cを厚み1μmの初期MgB₂膜で観察した。これは,初期膜のエピタキシャル性質のためMgB₂単結晶の39Kより大幅に高い。

シソーラス用語： *マグネシウム化合物 ,  *ホウ化物 ,  *薄膜 ,  マイクロ波 ,  *表面抵抗 ,  深さプロフィル ,  物理蒸着 ,  化学蒸着 ,  エピタクシー ,  厚み ,  臨界温度 ,  常伝導 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  アルゴン ,  イオンエッチング ,  X線回折 ,  単結晶
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  MgB2 ,  マイクロ波 ,  表面抵抗 ,  深さプロフィル ,  研究