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J-GLOBAL ID：201202235767913057   整理番号：12A1327949

n-i-p太陽電池におけるp-ドーピングnc-SiOx:Hウインドウ層によるV_oc増強の原因

Origin of the V _oc enhancement with a p-doped nc-SiOx:H window layer in n-i-p solar cells

著者 (4件)： BIRON Remi ,  PAHUD Celine ,  HAUG Franz-josef ,  BALLIF Christophe
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 1958-1961  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結合a-Si:H n-i-p太陽電池においてウインドウ層としてnc-SiOx:H材料を導入すると,μc-Si:H p-層と比較してV_ocが80mV増大した。多数のV _ocモデルによると,高い仕事関数p-層及びi/p界面における伝導バンドオフセット(CBO)の両者が酸素含有量によりV_ocが増大する実験結果と良好に一致した。微分温度法を用いて測定した二つの異なるp-層による電池のビルトイン電圧(V_bi)が同等であり,CBOモデルと良好に一致した。このV _oc改善の原因は,この領域におけるCBOの結果としてi/p界面における再結合が減少したことによる考えた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *微結晶 ,  *光学窓 ,  *電圧 ,  *ナノ結晶 ,  *酸化ケイ素 ,  *太陽電池 ,  *ドーピング ,  単結合 ,  仕事関数 ,  *伝導バンド ,  *バンドオフセット ,  酸素 ,  界面 ,  再結合
準シソーラス用語： ウインドウ層 ,  シリコン太陽電池 ,  ビルトイン電圧 ,  開回路電圧 ,  酸素含有量 ,  電荷再結合 ,  半導体ナノ結晶

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  ドーピング ,  NC ,  ウインドウ ,  VOC ,  増強 ,  原因