文献

J-GLOBAL ID：201202235876224989   整理番号：12A0652198

シリコン中の同時注入炭素とホウ素の拡散とその過剰な自己格子間原子への効果

Diffusion of co-implanted carbon and boron in silicon and its effect on excess self-interstitials

著者 (1件)： UEMATSU Masashi (School of Fundamental Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 073517-073517-6  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次イオン質量分析により,シリコン(Si)中の同時注入炭素(C)とホウ素(B)の拡散とその過剰なSi自己格子間原子(I)への効果を800および1000°Cで調べた。実験結果はC拡散は800および1000°Cでは顕著ではないが,1000°Cでの長期焼なましにより観測にかかった。B拡散はC拡散が目立たない間はCにより減少するが,C拡散が観測にかかると増加した。これらの結果は,全ての注入Cは過剰のIとC注入の分量だけの不動のCIクラスタを作り,このCIクラスタが安定で,Iを捕獲しB拡散を減らすことを示した。逆に,1000°Cでの長期焼なましによりCIクラスタはIを放出して溶け,BとCの拡散が増す。このモデルに基づいた拡散シミュレーションは,BとCの実験プロフィルと合致していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *炭素 ,  *ホウ素 ,  *拡散 ,  *格子間原子 ,  二次イオン質量分析 ,  *イオン注入 ,  *クラスタ ,  シミュレーション ,  濃度分布 ,  焼なまし

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  注入 ,  炭素 ,  ホウ素 ,  拡散 ,  自己格子間原子