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J-GLOBAL ID：201202235901399560   整理番号：12A0559007

ナノ双晶と超格子構造のGaドープZnOにおけるGaの秩序と電気伝導性

Ga Ordering and Electrical Conductivity in Nanotwin and Superlattice-Structured Ga-Doped ZnO

著者 (10件)： YOON Sang-Won (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  YOON Sang-Won (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SEO Jong-Hyun (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  SEO Jong-Hyun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SEONG Tae-Yeon (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  YU Tae Hwan (Samsung Corning Precision Materials, Gumi, KOR) ,  YOU Yil Hwan (Samsung Corning Precision Materials, Gumi, KOR) ,  LEE Kon Bae (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Hoon (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  AHN Jae-Pyoung (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 3  ページ： 1167-1172  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折(XRD)および透過型電子顕微鏡(TEM)によって1400°Cで焼結したGaドープZnO(GZO)を調べた結果,ZnO中にGaを添加するとナノ双晶と超格子構造が形成されることがわかった。GZOs中のナノ双晶は{113}<2 13 5>の双性系であり,超格子中のGa分布は結晶方向にそって周期的に変化している。遷移濃度(TC)以下でドープしたGa原子はZnOマトリックス中に完全に溶解し,超格子を優先的に形成した。この超格子構造は電気特性を強化できるので,5.6wt%Gaで最高の伝導率になり,GZOは極大の超格子分率を含むようになった。しかし,TC以上では,過剰のGa原子が溶けないためナノ双晶の分率が増大した。このナノ双晶はGaクラスターを形成して無秩序になるため相対的に伝導率は低下した。これらの結果から,GZO中のGa秩序化超格子が高い電気伝導率を示し,GZO中の構造変化と電気特性の間の相関関係を説明するための新しい基準になり得ることがわかった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  *ガリウム ,  焼成 ,  高温 ,  *ナノ結晶 ,  結晶形態 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *双晶 ,  *超格子 ,  濃度依存性 ,  規則化 ,  位相幾何学 ,  *電気伝導率 ,  体積率 ,  クラスタ形成

分類 (4件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ双晶 ,  超格子構造 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  電気伝導性